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分子束外延系统的使用特点介绍
日期：2025-04-30 06:29
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摘要：
分子束外延系统利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导，还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上，制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器，其耦合系数接近于100%。
MBE法与其他液相、气相外延生长法相比较，其特点是，
①分子束外延生长是在超高真空下进行的，残余气体对膜的污染少，可保持极清洁的表面。
②生长温度低，如生长GaAs只有500~600℃，Si只有500℃。
③生长速度慢，(1~10μm/h)。可生长超薄(几个μm)而乎整的膜，膜层厚度、组分和杂质浓度均可进行**地控制。
④可获得大面积的表面和界面有原子级平整度的外延生长膜。
⑤在同一系统中，可原位观察单晶薄膜的生长过程，可以进行生长机制的研究。外延生长的缺点是时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高。
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