分子束外延系统分析介绍

日期：2025-05-01 15:39

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摘要：

分子束外延系统是一种先进的材料生长技术，它在电子领域、能源领域和光电领域中有广泛的应用。分子束外延被认为是一种高精度的材料生长方法，适用于高质量的单层材料生长。该技术几乎可以在所有基底上进行，特别适合于硅、锗、氮化硅和氮化镓等基底。它的优点包括单原子层生长的能力、高质量的薄膜生长、受控的界面形态和化学成分、以及**的厚度控制等。

分子束外延生长系统的核心部件包括一个真空室、样品加载平台、Molecular beam epitaxy(MBE)炉、分子束源和探测系统等。分子束外延炉是生长高质量单晶异质结构的主要工具。在分子束源中，金属、半导体和气体源等材料以单原子层的形式供给。这些材料被基底表面的热激活接收，发生表面化学反应，*终形成薄膜。探测系统则用于测量生长表面的光谱、电学和结构特征。

在分子束外延生长的过程中，材料的选择和生长条件对*终的薄膜形态和物理性质起着至关重要的作用。通常情况下，分子束外延生长系统要求高真空环境，充分净化气体，避免外界杂质对样品生长的影响。

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